flowchart LR
AC["Rede CA<br/>110 V, 60 Hz"] --> BR["Ponte<br/>Retificadora"]
BR --> CB["C_i"]
CB --> BK["Buck<br/>(S, D, L)"]
BK --> CO["C"]
CO --> LOAD["Carga R"]
Retificador + Buck: Dimensionamento Passo a Passo e Verificação por Simulação
UFPA — Campus Universitário de Tucuruí
FonteControlada.m)flowchart LR
AC["Rede CA<br/>110 V, 60 Hz"] --> BR["Ponte<br/>Retificadora"]
BR --> CB["C_i"]
CB --> BK["Buck<br/>(S, D, L)"]
BK --> CO["C"]
CO --> LOAD["Carga R"]
| Parâmetro | Símbolo | Valor |
|---|---|---|
| Tensão eficaz da rede | \(V_{rms}\) | 110 V |
| Frequência da rede | \(f_r\) | 60 Hz |
| Tensão de saída regulada | \(V_o\) | 48 V |
| Corrente máxima de carga | \(I_o\) | 5 A |
| Frequência de chaveamento | \(f_s\) | 40 kHz |
| Ripple do barramento CC | \(\Delta V_i\) | 8 % de \(V_p\) |
| Ripple de corrente no indutor | \(\Delta I\) | 30 % de \(I_o\) |
| Ripple de tensão de saída | \(\Delta V_o\) | 1 % de \(V_o\) |
| ESR do capacitor de saída | \(R_e\) | 20 mΩ |
| Eficiência estimada | \(\eta\) | 93 % |
Tensão de pico retificada (diodos ideais):
\[ V_p = V_{rms}\sqrt{2} = 110\sqrt{2} \approx \boxed{155{,}6\text{ V}} \]
Ponte completa: dois diodos em condução a cada semiciclo, cada um bloqueando \(V_p\) no semiciclo oposto.
\[ P = V_o I_o = 48\times5 = 240\text{ W}, \qquad P_i = \frac{P}{\eta} = \frac{240}{0{,}93} \approx 258{,}1\text{ W} \]
\[ I_i = \frac{P_i}{V_p} = \frac{258{,}1}{155{,}6} \approx \boxed{1{,}66\text{ A}} \]
Ripple de tensão no barramento, em \(2f_r\) (retificação de onda completa):
\[ C_i = \frac{I_i}{2f_r\,\Delta V_i} \]
| Grandeza | Valor |
|---|---|
| \(\Delta V_i\) (8 % de \(V_p\)) | 12,5 V |
| \(C_i\) | 1111 µF |
| Faixa de \(V_i\) | 143 V – 156 V |
| Tensão nominal do capacitor (margem 20 %) | ≥ 187 V |
Em regime, \(V_o = D\,V_i\); como \(V_i\) tem ripple, \(D\) varia com ele:
\[ D_{\min} = \frac{V_o}{V_{i,\max}} \approx 0{,}31, \qquad D_{\max} = \frac{V_o}{V_{i,\min}} \approx 0{,}34 \]
O ripple do indutor é máximo quando \(D\to0{,}5\). Como \(D\) não chega a \(0{,}5\), o pior caso é o extremo mais próximo dele: aqui, \(D_{\max}=0{,}34\), em \(V_i=V_{i,\min}=143\) V.
Projetado no ponto de pior caso (\(D=0{,}34\), \(V_i=143\) V):
\[ L = \frac{(V_i-V_o)\,D}{f_s\,\Delta I} \]
| Grandeza | Valor |
|---|---|
| \(L\) | 532 µH |
| \(\Delta I\) (30 % de \(I_o\)) | 1,5 A |
| \(I_{pk}\) | 5,75 A |
| \(I_{rms}\) | 5,02 A |
O indutor garante condução contínua (MCC) na carga nominal?
Sim: a corrente crítica é \(\Delta I/2=0{,}75\) A, bem abaixo de \(I_o=5\) A. CCM garantido.
Ripple de saída dividido entre a queda na ESR e o termo capacitivo:
\[ \Delta V_R = \Delta I\,R_e, \qquad C = \frac{\Delta I}{8\,f_s\,\Delta V_C} \]
| Grandeza | Valor |
|---|---|
| \(\Delta V_o\) alvo (1 % de \(V_o\)) | 0,48 V |
| \(\Delta V_R\) (contribuição da ESR) | 0,03 V |
| \(\Delta V_C\) (restante, para o capacitor) | 0,45 V |
| \(C\) | 10,4 µF |
\[ I_{sw} = I_o\sqrt{D}, \qquad I_{D,med} = I_o(1-D), \qquad I_{D,rms} = I_o\sqrt{1-D} \]
| Componente | Bloqueio | Corrente |
|---|---|---|
| Chave (MOSFET) | \(\ge\) 143 V | \(I_{sw}=2{,}90\) A |
| Diodo de roda-livre | \(\ge\) 143 V | \(I_{D,med}=3{,}32\) A, \(I_{D,rms}=4{,}08\) A |
Sem malha de realimentação: \(D(t)\) usa só o valor instantâneo de \(V_i\), sem medir \(V_o\).
| Grandeza | Projeto | Simulado |
|---|---|---|
| \(\Delta V_i\) | 12,5 V | 10,7 V |
| \(\Delta I\) | 1,5 A | 2,3 A |
| \(\Delta V_o\) | 0,48 V | 5,39 V |
Por que o ripple de saída simulado é ~11× maior que o projetado, se \(L\) e \(C\) foram dimensionados corretamente para o ripple de chaveamento?
As fórmulas de \(L\) e \(C\) só cobrem o ripple de chaveamento. O feedforward \(D(t)=V_o/V_i(t)\) é em malha aberta: qualquer imperfeição de modelo deixa passar o ripple de baixa frequência do barramento (120 Hz) direto para a saída — e é esse componente, não coberto pelas fórmulas de chaveamento, que domina o \(\Delta V_o\) simulado.